22:07 Технология Toshiba, возможно, позволит достичь плотности флэш-памяти в 100 Гбит! | |
Корпорация Toshiba сообщила сегодня о том, что в ее недрах разработана новая технология, которая должна позволить достичь плотности памяти в 100 Гбит! В будущем, при производстве памяти, создаваемой по нормам 10-нм техпроцесса, планируется применять новую технологию двойного туннелирования, разработанную инженерами компании. Ожидается, что это приведет к тому, что можно будет достичь небывалых значений плотности — 100 Гбит или даже больше. В Toshiba разработали так называемый туннельный слой, которой контролирует движения электронов в SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor) — структуре памяти, удерживающей электроны в нитридном слое изолятора. Эта структура представляет собой сэндвич с обеих сторон 1,2-нм слоя кремниевых нанокристаллов между 1-нм слоями оксидных пленок, что собственно и обеспечивает в итоге высокую скорость работы памяти — запись и удаление данных в ней можно производить быстро, причем параллельно. При этом Toshiba перешла от применения пленки нитрида Si3N4 к Si9N10, — материал содержит больше кремния, что позволило оптимизировать такой элемент структуры, как канал концентрации примесей. Прототип такой структуры памяти уже реализован в компании. В компании постоянно ведутся работы по исследованию возможностей улучшения памяти, включая разработку трехмерных структур. В Toshiba верят в успех реализации новой технологии двойного туннелирования для создания памяти следующего поколения, выполняемой по нормам 10 нм. Источник: ixbt.com | |
|
Всего комментариев: 0 | |